RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2932
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link