RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2703
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link