RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3733
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link