RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
4005
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link