RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3120
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link