RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3516
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link