RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2263
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link