RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2622
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link