RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3563
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link