RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2962
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link