RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3683
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link