RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3899
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link