RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
46
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
26.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
14
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
4362
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link