RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
91
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
91
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1214
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link