RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1617
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link