RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2675
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link