RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3182
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link