RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3182
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link