RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3149
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link