RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2851
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link