RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3285
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link