RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2347
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link