RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2825
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link