RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3000
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link