RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2981
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link