RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3308
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link