RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3866
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link