RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2544
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link