RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2929
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link