RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3768
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link