RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3532
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link