RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3553
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link