RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
69
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
1992
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link