RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3402
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link