RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
77
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3429
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link