RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2422
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link