RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
67
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
67
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1693
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link