RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1881
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link