RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
96
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
96
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1211
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link