RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2829
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link