RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2768
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link