RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
57
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
57
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2377
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link