RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
40
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2100
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link