RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2852
2221
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link