RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
3465
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link