RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
3371
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link