RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
3666
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link