RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
2621
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link