RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,042.4
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
61
Wokół strony -239% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
3668
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link