RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
61
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,042.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
2154
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link