RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
95
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,042.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
95
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
1518
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link